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TRENCH MOS

具有抗冲击能力强,输出效率高,成本低等特点

沟槽式金属氧化物场效应晶体管( Trench MOSFET )与传统VDMOS相比,具有更低的导通电阻Rdson和栅漏电荷密度,从而可实现更低的导通和开关损耗及更快的开关速度。HRmicro的Trench MOSFET通过采用最先进的沟槽技术和芯片布局,可应用于工作频率小于100kHz的各种应用领域,很好的补充HRmicro的SGT系列产品,具有抗冲击能力强,输出效率高,成本低等特点;HRmicro结合最先进的封装技术,可实现更高的输出功率和可靠性,同时拥有各种小封装产品可进一步提高电路集成度。

产品参数

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Package   Part Name   P/N VDS (V) VGS (V) ID (A) Vth_typ(V) Ron (mΩ)
Tc=25℃ 10V 4.5V 2.5V
Max100
Min0
Max4.2
Min-3.5
Max8.7
Min0
Max2600
Min0
Max1000
Min0