首页 产品中心

SGT MOS

具有栅漏电容(Cgd)小,开关损耗低 ,优值(FOM)低,抗大电流冲击能力(EAS)强等特点

采用电荷平衡原理,使得N型漂移区即使在较高掺杂浓度的情况下也能实现较高的击穿电压,从而获得较低的导通电阻,打破传统功率MOSFET的硅极限。 HRmicro SGT产品具有栅漏电容(Cgd)小,开关损耗低 ,优值(FOM)低,抗大电流冲击能力(EAS)强等特点,结合先进的封装技术增加了源极金属的接触面积,减少封装寄生电阻,增强了器件高温工作状态下的散热性能。

产品参数

(下载产品规格书请点击产品名称)

下载资料
Package   Part Name   P/N VDS (V) VGS (V) ID (A) Vth_typ(V) Ron (mΩ)
Tc=25℃ 10V 4.5V 2.5V
Max100
Min0
Max4.2
Min-3.5
Max8.7
Min0
Max2600
Min0
Max1000
Min0