首页 产品中心

SUPER JUNCTION

比传统VDMOS具有更快的开关速度,更低的开关损耗,更优的转换效率

HRmicro推出的第二代、第三代超结MOSFET系列产品,打破了传统平面VDMOS的硅极限,使得导通电阻与击穿电压的关系得到了极大的改进,由传统的2.5次方变为线性关系,极大的优化了器件的品质因数FOM(Rdson*Qg),比传统VDMOS具有更快的开关速度,更低的开关损耗,更优的转换效率;第二代及第三代超结MOSFET分别针对性的优化了EMI特性、产品特征导通电阻特性,同时,也带来了DFN 8*8、TO-247等多种多样的封装形式,全面适用于照明应用、各类电源、适配器、手机、电脑等多种应用场景; 第二代及第三代超结同时推出了快恢复系列产品,极大的缩短了超结MOSFET的反向恢复时间,提高了反向恢复能力,降低了反向恢复损耗,适用于半桥、全桥等拓扑电路中,可应用于各种大功率电源、充电桩等产品中。

产品参数

(下载产品规格书请点击产品名称)

下载资料
Package   Part Name   P/N VDS (V) VGS (V) ID (A) Vth_typ(V) Ron (mΩ)
Tc=25℃ 10V 4.5V 2.5V
Max100
Min0
Max4.2
Min-3.5
Max8.7
Min0
Max2600
Min0
Max1000
Min0